霍爾效應的測量是開展半導體研究的重要方法。本機利用計算機的數(shù)據(jù)采集和處理在80K-400K溫度范圍內(nèi)對霍爾系數(shù)和電導率的聯(lián)合測量，行半導體導電機制及散射機制的研究，并可確定半導體的些基本參數(shù)，如導電類型、載子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質(zhì)電離能等。        

主要標

1．電磁鐵          0-300mT連續(xù)可調(diào)

2. 勵磁電源       0-連續(xù)可調(diào)  可自動換向       穩(wěn)定性﹤±0.1%

3. 數(shù)字斯拉計              0-2000mT       三位半數(shù)字顯示   分辨率0.001

4. 恒源輸出       1mA       穩(wěn)定性±0.1%

5. 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)霍爾電壓測量zui小分辨率1uV

6. 溫度變化測量范圍           80-400K

7. 整套儀器由電磁鐵系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)機箱、測量系統(tǒng)主機、恒溫器四分組成

8. 探頭樣品采用單晶鍺片